Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI

	Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI
	Wang, ZJ ; Cheng, XH（重点实验室） ; He, DW ; Xia, C ; Xu, DW ; Yu, YH（重点实验室） ; Zhang, D ; Wang, YY ; Lv, YQ ; Gong, DW ; Shao, K
刊名	MICROELECTRONIC ENGINEERING
	2012
卷号	91 页码:102-105
关键词	Engineering Physics Electrical & Electronic Nanoscience & Nanotechnology Applied Optics
ISSN号	0167-9317
学科主题	Engineering; Science & Technology - Other Topics; Optics; Physics
收录类别	SCI
原文出处	10.1016/j.mee.2011.10.014
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115146]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, ZJ,Cheng, XH,He, DW,et al. Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI[J]. MICROELECTRONIC ENGINEERING,2012,91:102-105.
APA	Wang, ZJ.,Cheng, XH.,He, DW.,Xia, C.,Xu, DW.,...&Shao, K.(2012).Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI.MICROELECTRONIC ENGINEERING,91,102-105.
MLA	Wang, ZJ,et al."Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI".MICROELECTRONIC ENGINEERING 91(2012):102-105.