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Silicon carbide PIN diode detectors used in harsh neutron irradiation
期刊论文
SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL, 2018, 卷号: 280, 页码: 245-251
作者:
Jin, P
;
Liu, LY
;
Li, FP
;
Bai, S
;
Cao, XZ
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提交时间:2019/09/24
Silicon carbide
Neutron detector
Performance degradation
Irradiation defect
Low-Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With a p-Type Schottky Body Diode
期刊论文
2017, 卷号: 38, 页码: 1059-1062
作者:
Lin, Zhi[1,2]
;
Hu, Shengdong[1,2]
;
Yuan, Qi[1,2]
;
Zhou, Xichuan[1,2]
;
Tang, Fang[1,2]
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/11/28
Polarity Control of GaN and Realization of GaN Schottky Barrier Diode Based on Lateral Polarity Structure
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 11, 页码: 4424-4429
作者:
Sheikhi, Moheb
;
Li, Junmei
;
Meng, Fanping
;
Li, Hongwei
;
Guo, Shiping
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/12/25
The controlled growth of graphene nanowalls on Si for Schottky photodetector
期刊论文
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 期号: 12
作者:
Zhou, Quan
;
Liu, Xiangzhi
;
Zhang, Enliang
;
Luo, Shi
;
Shen, Jun
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/03/16
Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329
作者:
Dong C(董琛)
;
Han XX(韩修训)
;
Gao, Xin
;
Yoshio Ohshita
;
Masafumi Yamaguchi
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/12/30
GaAsN
Schottky diode
Growth orientation
I-V characteristics
C-V characteristics
Electrical properties
gamma-ray detector based on n-type 4H-SiC Schottky barrier diode
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 20
作者:
Du YY(杜园园)
;
Zhang CL(张春雷)
;
Cao XL(曹学蕾)
;
Du, YY
;
Zhang, CL
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2017/07/26
4H-SiC
wide-band semiconductor
Schottky diode
gamma-ray detector
The effect of annealing temperature on the electronic parameters and carrier transport mechanism of Pt/n-type Ge Schottky diode
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 卷号: 62, 页码: 63-69
作者:
Guo, Erjuan[1]
;
Zeng, Zhigang[2]
;
Zhang, Yan[3]
;
Long, Xiao[4]
;
Zhou, Haijun[5]
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/04/26
Schottky diodes
Ge
Annealing
Ideality factor
Barrier height
Characterization of vertical Au/beta-Ga2O3 single-crystal Schottky photodiodes with MBE-grown high-resistivity epitaxial layer
期刊论文
Chin. Phys. B, 2016, 卷号: 25, 期号: 1
作者:
Liu XZ(刘兴钊)
;
Yue C(岳超)
;
Zhang WL(张万里)
;
Xia ZT(夏长泰)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/12/25
Graphene-GaN Schottky diodes
期刊论文
NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338
作者:
Kim Seongjun
;
Seo Tae Hoon
;
Kim Myung Jong
;
Song Keun Man
;
Suh EunKyung
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/12/13
LIGHT-EMITTING-DIODES
N-TYPE GAN
THERMIONIC-FIELD-EMISSION
SENSITIZED SOLAR-CELLS
CONTACT RESISTANCE
BARRIER HEIGHT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TRANSPARENT ELECTRODES
RAMAN-SPECTROSCOPY
METAL CONTACTS
graphene
GaN
Schottky diode
Schottky barrier height
Fermi level pinning
Feasibility of Schottky diode as selector for bipolar-type resistive random access memory applications
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 104, 期号: 13, 页码: -
作者:
Li, YT
;
Gong, QC
;
Jiang, XY
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/05/25
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