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Gate Engineering in SOI LDMOS for Device Reliability
其他
2016-01-01
Aanand
;
Sheu, Gene
;
Imam, Syed Sarwar
;
Lu, Shao Wei
;
Aryadeep, Chirag
;
Yang, Shao Ming
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/12/03
The influence of the N+floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical model
期刊论文
2016, 卷号: 13, 期号: 20
作者:
Hu, Xiarong[1]
;
Wang, Weibo[1]
;
Ji, Yupin[2]
;
Hua, Qing[3]
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/01/04
The influence of the N+ floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical modelSCI原文链接
期刊论文
2016, 卷号: 13, 期号: 20
作者:
Hu, Xiarong[1]
;
Wang, Weibo[1]
;
Ji, Yupin[2]
;
Hua, Qing[3]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/07
Analytical model for silicon-on-insulator lateral high-voltage devices using variation of lateral thickness technique
期刊论文
日本应用物理学杂志, 2015
Yao, Jiafei
;
Guo, Yufeng
;
Li, Man
;
Huang, Xiaofeng
;
Lin, Hong
;
Ji, Xincun
;
Xu, Yue
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/11
FIELD DISTRIBUTION
BREAKDOWN VOLTAGE
RESURF LDMOS
SOI LDMOS
LAYER
OPTIMIZATION
一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构
专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者:
刘刚
;
刘梦新
;
毕津顺
;
罗家俊
;
韩郑生
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/04/01
开关电源电路设计及其高压功率器件研制
学位论文
2014, 2014
江凌峰
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/01/12
智能照明
开关电源
LDMOS
VDMOS
IGBT
Intelligent Lighting
Switch Power Supply
LDMOS
VDMOS
IGBT
一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现
期刊论文
2010, 2010
邓兰萍
;
王纪民
;
DENG Lan-ping
;
WANG Ji-min
收藏
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浏览/下载:5/0
A Novel RF LDMOS Fabricated With Standard Foundry Technology
期刊论文
ieee electron device letters, 2009
Xiao, Han
;
Zhang, Lijie
;
Huang, Ru
;
Song, Fei
;
Wu, Dake
;
Liao, Huailin
;
Wong, Waisum
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
Integrated power amplifier
LDMOS
power device
RF CMOS
TRANSISTOR
LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法
期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 6,968-973
作者:
杜寰
;
刘梦新
;
陈蕾
;
宋李梅
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/06/01
横向双扩散场效应晶体管
静电放电防护
深漏极注入
击穿现象
Investigation of the RESURF Dielectric Inserted (REDI) LDMOS as a novel Silicon-based RF Power Device
其他
2008-01-01
Liu, Yuchao
;
Xiao, Han
;
Huang, Ru
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
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