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Gate Engineering in SOI LDMOS for Device Reliability 其他
2016-01-01
Aanand; Sheu, Gene; Imam, Syed Sarwar; Lu, Shao Wei; Aryadeep, Chirag; Yang, Shao Ming
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The influence of the N+floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical model 期刊论文
2016, 卷号: 13, 期号: 20
作者:  Hu, Xiarong[1];  Wang, Weibo[1];  Ji, Yupin[2];  Hua, Qing[3]
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The influence of the N+ floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical modelSCI原文链接 期刊论文
2016, 卷号: 13, 期号: 20
作者:  Hu, Xiarong[1];  Wang, Weibo[1];  Ji, Yupin[2];  Hua, Qing[3]
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Analytical model for silicon-on-insulator lateral high-voltage devices using variation of lateral thickness technique 期刊论文
日本应用物理学杂志, 2015
Yao, Jiafei; Guo, Yufeng; Li, Man; Huang, Xiaofeng; Lin, Hong; Ji, Xincun; Xu, Yue
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/11/11
一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者:  刘刚;  刘梦新;  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生
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开关电源电路设计及其高压功率器件研制 学位论文
2014, 2014
江凌峰
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一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现 期刊论文
2010, 2010
邓兰萍; 王纪民; DENG Lan-ping; WANG Ji-min
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A Novel RF LDMOS Fabricated With Standard Foundry Technology 期刊论文
ieee electron device letters, 2009
Xiao, Han; Zhang, Lijie; Huang, Ru; Song, Fei; Wu, Dake; Liao, Huailin; Wong, Waisum; Wang, Yangyuan
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2015/11/10
LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 6,968-973
作者:  杜寰;  刘梦新;  陈蕾;  宋李梅
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Investigation of the RESURF Dielectric Inserted (REDI) LDMOS as a novel Silicon-based RF Power Device 其他
2008-01-01
Liu, Yuchao; Xiao, Han; Huang, Ru
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