LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法

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	LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法
	杜寰; 刘梦新; 陈蕾; 宋李梅
刊名	半导体技术
	2009
卷号	34 期号:10 页码:6，968-973
关键词	横向双扩散场效应晶体管静电放电防护深漏极注入击穿现象
ISSN号	1003-353X
其他题名	Failure Mechanism and Protection of LDMOS Device Under ESD Stress
英文摘要	探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。[著者文摘]
语种	中文
公开日期	2010-06-01
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/2120]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	杜寰,刘梦新,陈蕾,等. LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法[J]. 半导体技术,2009,34(10):6，968-973.
APA	杜寰,刘梦新,陈蕾,&宋李梅.(2009).LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法.半导体技术,34(10),6，968-973.
MLA	杜寰,et al."LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法".半导体技术 34.10(2009):6，968-973.