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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘 ; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
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| 辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 周航
收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2017/09/26
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| 辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者: 周航
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/09/26
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410459513.9, 申请日期: 2014-09-11,
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410459780.6, 申请日期: 2014-09-11,
作者: 殷华湘; 马小龙; 张严波; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2012-07-16,
作者: 秦长亮; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/13 |
| 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 专利
专利号: CN200810116043.0, 申请日期: 2012-03-21, 公开日期: 2010-01-06
作者: 韩郑生; 毕津顺; 宋文斌
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130012A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| MOS晶体管及其制作方法 专利
专利号: ZL201010606342.X, 申请日期: 2010-12-24, 公开日期: 2015-05-25
作者: 于伟泽; 尹海洲
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2015/05/25 |
| LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析 期刊论文
2010, 2010
徐杰; 张文俊; 张锐; XU Jie; ZHANG Wen-jun; ZHANG Rui
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