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| HfO2封装对以ALD HfO2为后栅介电材料的低密度MoS2晶体管的电性能的影响 科技动态
2018
作者: yaoxn@llas.ac.cn
  收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: CN201210506496.0, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰 ; 梁擎擎; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| FinFET及其制造方法 专利
专利号: CN201210464915.9, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2014-05-28
作者: 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/03/19 |
| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201310729611.5, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2015-07-01
作者: 许高博; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| 高k介质栅材料电子辐照下的红外研究 期刊论文
光散射学报, 2018, 卷号: 第4期, 页码: 379-383
作者: 林巍; 马瑶; 石瑞英; 傅廷; 龚敏
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| 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究 学位论文
2016, 2016
池晓伟
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/20
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201210505744.X, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰; 陈大鹏; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2017/06/12 |
| 小尺寸器件的金属栅平坦化新技术 期刊论文
真空科学与技术学报, 2016
作者: 赵超; 张月; 张青竹; 秦长亮; 张严波
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2017/04/14 |
| 半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210206401.3, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2014-01-15
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 赵超
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/30 |
