FinFET及其制造方法

	FinFET及其制造方法
	朱慧珑
	2018-04-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210464915.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成穿通阻止层；在穿通阻止层上形成第一半导体层；在第一半导体层中形成源区和漏区；由第一半导体层形成半导体鳍片，源区和漏区在半导体鳍片的两端与半导体鳍片接触；以及形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，栅堆叠包括栅极导体和夹在栅极导体和半导体鳍片之间的栅极电介质。本发明的方法通过后鳍(fin-last)工艺制造FinFET，有利于集成高K栅极电介质和金属栅以及作为应力源的源区和漏区，从而改善器件性能。
公开日期	2014-05-28
申请日期	2012-11-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18782]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑. FinFET及其制造方法. CN201210464915.9. 2018-04-24.