半导体器件的制造方法

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	半导体器件的制造方法
	周华杰; 陈大鹏; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
	2016-09-28
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210505744.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上限定有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；在第一金属栅层上形成假栅层；将假栅层、第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层图案化为栅叠层；形成围绕栅叠层的栅极侧墙；形成源/漏区，去除假栅层以形成栅极开口；在第一金属栅层中注入掺杂离子；在第一金属栅层上形成第二金属栅层以填充栅极开口；以及进行退火以使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质与第一金属栅层之间的上界面和高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处，并且在高K栅介质与界面氧化物之间的下界面处通过界面反应产生电偶极子。
公开日期	2014-06-11
申请日期	2012-11-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16637]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周华杰,陈大鹏,徐秋霞,等. 半导体器件的制造方法. CN201210505744.X. 2016-09-28.