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| HfO2封装对以ALD HfO2为后栅介电材料的低密度MoS2晶体管的电性能的影响 科技动态
2018
作者: yaoxn@llas.ac.cn
  收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: CN201210506496.0, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰 ; 梁擎擎; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| FinFET及其制造方法 专利
专利号: CN201210464915.9, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2014-05-28
作者: 朱慧珑
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| 一种半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201310729611.5, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2015-07-01
作者: 许高博; 徐秋霞
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| 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究 学位论文
2016, 2016
池晓伟
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| 半导体器件的制造方法 专利
专利号: CN201210505744.X, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2014-06-11
作者: 周华杰; 陈大鹏; 徐秋霞; 朱慧珑; 许高博
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| 半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201210206401.3, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2014-01-15
作者: 叶甜春; 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑
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| 一种非易失性存储器及其制备方法 专利
专利号: CN201210026223.6, 申请日期: 2015-12-02, 公开日期: 2013-08-14
作者: 谢常青; 霍宗亮; 朱晨昕; 许中广; 刘明
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/09/12 |
| P型MOSFET的制造方法 专利
专利号: US9196706, 申请日期: 2015-11-24, 公开日期: 2014-06-05
作者: 徐秋霞; 叶甜春; 朱慧珑; 周华杰; 许高博
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/09/19 |
