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| 一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器 专利
专利号: CN110165555A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
作者: 林涛; 齐玥; 邓泽军; 赵荣进; 马泽坤
  收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
何超
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2016/06/02
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| 硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 页码: 310-316
作者: 张晓宇[1]; 张丽平[2]; 马忠权[3]; 刘正新[4]
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/04/26
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| 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法 专利
专利号: CN102570309B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17
作者: 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 王圩
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 高质量Si基Ge材料外延生长及其MOS结构界面特性研究 学位论文
2011, 2011
郑元宇
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制 学位论文
2008, 2008
邓和清
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 微电子与光电子集成技术 专著
北京:电子工业出版社, 北京, 2008
陈弘达
收藏 | 浏览/下载：75/0 | 提交时间：2009/09/19 |
| 硅基光电子学研究进展与趋势 期刊论文
世界科技研究与发展, 2007, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 50-56
余金中
收藏 | 浏览/下载：29/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究 期刊论文
发光学报, 1996, 期号: 4, 页码: 311-316
董文甫; 王启明; 杨沁清; 谢小刚; 周钧铭; 黄绮
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2013/09/23 |
| 锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究 期刊论文
发光学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 311
董文甫; 王启明; 杨沁清; 谢小刚; 周钧铭; 黄绮
收藏 | 浏览/下载：76/0 | 提交时间：2010/11/23 |
