锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究

	锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究
	董文甫 ; 王启明 ; 杨沁清 ; 谢小刚 ; 周钧铭 ; 黄绮
刊名	发光学报
	1996
卷号	17 期号:4 页码:311
中文摘要	研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为.用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19649]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	董文甫,王启明,杨沁清,等. 锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究[J]. 发光学报,1996,17(4):311.
APA	董文甫,王启明,杨沁清,谢小刚,周钧铭,&黄绮.(1996).锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究.发光学报,17(4),311.
MLA	董文甫,et al."锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究".发光学报 17.4(1996):311.