| 硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟 | |
| 张晓宇[1]; 张丽平[2]; 马忠权[3]; 刘正新[4] | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2016 | |
| 卷号 | 65页码:310-316 |
| 关键词 | Si/Si1-xGex量子阱 异质结太阳电池 界面复合 a-Si:H/c-Si |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2231754 |
| 专题 | 上海大学 |
| 作者单位 | [1] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[2] 中科院上海微系统与信息技术研究所, 上海 201800, 中国[3] 上海大学理学院, 上海 200444, 中国[4] 中科院上海微系统与信息技术研究所, 上海 201800, 中国 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张晓宇[1],张丽平[2],马忠权[3],等. 硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟[J]. 物理学报,2016,65:310-316. |
| APA | 张晓宇[1],张丽平[2],马忠权[3],&刘正新[4].(2016).硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟.物理学报,65,310-316. |
| MLA | 张晓宇[1],et al."硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟".物理学报 65(2016):310-316. |
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