| 题名 | 正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制; Design and fabrication of normal incidence p-type SiGe/Si quantum well infrared photodetector |
| 作者 | 邓和清 |
| 答辩日期 | 2008 ; 2008 |
| 导师 | 陈松岩 |
| 关键词 | 锗硅量子阱 正入射红外探测器 DC-UHV/CVD SiGe quantum well normal incidence infrared detector DC-UHV/CVD |
| 英文摘要 | 量子阱红外探测器（QWIP）在国防、工业、医疗等方面具有广泛的应用前景。受量子力学跃迁选择定则的限制，传统n型量子阱红外探测器对正入射光的吸收是禁戒的，需要制作复杂的光栅耦合正入射光。而p型QWIP具有能对正入射光响应的特点，且具有更低的暗电流，引起人们的广泛关注。其中，p型SiGe/SiQWIP与硅微电子工艺兼容，可直接制作在硅读出电路上，易于实现光电器件的单片集成。因此，p型SiGe/SiQWIP的研究具有诱人的前景。 本论文主要开展了以下几个方面的工作： （1）采用6×6方法计算应变SiGe/Si量子阱的价带能带结构。分析空穴子带能级随阱宽和Ge组分的变化规律，讨论基于束缚态到准束缚...; Quantum well infrared photodetectors (QWIPs) offer numerous potential applications in defense, industry and medicine. For conventional n-type QWIPs, special optical couplers such as gratings are always required to detect normal incidence because the transition is forbidden by the quantum mechanical selection rules. Whereas, the p-type QWIPs are sensitive to normally incident radiation and have low...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：20051301649 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=17779 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55069]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓和清. 正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制, Design and fabrication of normal incidence p-type SiGe/Si quantum well infrared photodetector[D]. 2008, 2008. |
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