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| 超薄氧化锗制备、性质及退火对HfO2/GeO2/Ge MOS结构的影响 学位论文
2012, 2012
路长宝
  收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质 期刊论文
2012
路长宝; 刘冠洲; 李成; 赖虹凯; 陈松岩
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/05/17
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| PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 专利
专利号: ZL201110046360.1, 申请日期: 2011-02-25, 公开日期: 2015-05-29
作者: 徐秋霞; 李永亮
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2015/05/29 |
| 一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101950758A, 申请日期: 2011-01-19, 公开日期: 2011-01-19
程新红; 徐大伟; 王中健; 何大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒 其他
2011-01-01
许铭真; 贾高升; 谭长华
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/12
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| 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 专利
专利号: CN101740570A, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16
作者: 王文武 ; 陈世杰
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 一种双金属栅功函数的调节方法 专利
申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18
作者: 许高博; 徐秋霞
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/03/18 |
| 软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用 其他
2009-01-01
许铭真; 谭长华; 段小蓉
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2015/11/12
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| 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 专利
专利号: CN101728257A, 申请日期: 2008-10-24, 公开日期: 2010-06-09, 2010-11-26
作者: 柴淑敏; 徐秋霞; 许高博
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文) 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 03
王庆学
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06
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