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	一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法
	程新红 ; 徐大伟 ; 王中健 ; 何大伟 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉
	2011-01-19
专利国别	中国
专利号	CN101950758A
专利类型	发明
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要	本发明介绍了一种在SOI材料上制备多层高介电常数材料栅结构的方法。首先通过O2等离子体对SOI表面进行预处理，同时SOI衬底表面将形成一层超薄的SiO2界面层，接着在这层超薄的SiO2上利用原子层沉积(ALD)方式生长一层超薄的Si3N4，这层Si3N4将有效隔离高介电常数材料层中的杂质元素与SOI顶层硅之间的扩散，以及阻止下方SiO2层在后期热处理过程中的再生长。接着在Si3N4上沉积一层高介电常数材料，并对高介电常数材料进行适当的氮化处理，使得高介电常数材料上层形成一层高介电常数的氮氧化合物，这层氮氧
是否PCT专利	是
公开日期	2011-01-19
申请日期	2010-07-13
语种	中文
专利申请号	201010225694.0
专利代理	李仪萍
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49516]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式 GB/T 7714	程新红,徐大伟,王中健,等. 一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅结构及其制备方法. CN101950758A. 2011-01-19.

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