互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法

	互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法
	王文武; 陈世杰
	2010-06-16
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN101740570A
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法，有效地解决32纳米以下技术代CMOS器件中由于使用高k电介质而带来的高阈值电压问题。采用本发明的CMOS器件结构，通过在主高k层下方加入一层超薄高k界面层结构来达到有效控制CMOS器件阈值电压的目的。
公开日期	2010-06-16
申请日期	2008-11-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7446]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王文武,陈世杰. 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法. CN101740570A. 2010-06-16.