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| 石墨及不锈钢衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性研究 学位论文
: 大连理工大学, 2013
作者: 段仲伟
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| 基于ECR-PEMOCVD技术的In_xGa_(1-x)N薄膜的制备及其表征 学位论文
: 大连理工大学, 2012
作者: 刘兴隆
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| 基于ECR-PEMOCVD技术在蓝宝石衬底上高C轴择优的InN薄膜的制备及表征 学位论文
: 大连理工大学, 2011
作者: 周志峰
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| 玻璃衬底上GaN和InN制备的研究 学位论文
: 大连理工大学, 2010
作者: 陈伟绩
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| 在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性研究 学位论文
: 大连理工大学, 2010
作者: 刘胜芳
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| 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究 期刊论文
物理学报, 2008, 卷号: 57, 页码: 508-513
作者: 王叶安; 秦福文; 吴东江; 吴爱民; 徐茵
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| 玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究 期刊论文
半导体技术, 2008, 卷号: 33, 页码: 880-884
作者: 王文彦; 秦福文; 吴爱民; 宋世巍; 李瑞
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| 一种提高Ⅲ-Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1933263, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成; 谢正生
收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法 专利
专利号: CN1933263A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者: 吴惠桢; 曹萌; 劳燕锋; 黄占超; 刘成
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性 期刊论文
光学学报, 2007, 期号: 03
曹萌; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 谢正生
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2012/01/06
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