刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性

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	刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性
	曹萌 ; 吴惠桢 ; 劳燕锋 ; 刘成 ; 谢正生
刊名	光学学报
	2007
期号	03
关键词	光子晶体缺陷地结构带阻特性低通滤波器微带线
ISSN号	0253-2239
中文摘要	为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后,量子阱表面呈现高低起伏状形貌,粗糙度提高,出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射,从而逃逸概率增大,有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光强度增强因子约为1．3
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51345]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	曹萌,吴惠桢,劳燕锋,等. 刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性[J]. 光学学报,2007(03).
APA	曹萌,吴惠桢,劳燕锋,刘成,&谢正生.(2007).刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性.光学学报(03).
MLA	曹萌,et al."刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性".光学学报 .03(2007).