| 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究 | |
| 王叶安; 秦福文; 吴东江; 吴爱民; 徐茵; 顾彪 | |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 2008 | |
| 卷号 | 57页码:508-513 |
| 关键词 | GaMnN薄膜 稀磁半导体 铁磁性 居里温度 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5605729 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 2.大连理工大学机械工程学院,大连,116024 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王叶安,秦福文,吴东江,等. 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究[J]. 物理学报,2008,57:508-513. |
| APA | 王叶安,秦福文,吴东江,吴爱民,徐茵,&顾彪.(2008).基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究.物理学报,57,508-513. |
| MLA | 王叶安,et al."基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究".物理学报 57(2008):508-513. |
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