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| SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 姬庆刚
  收藏 | 浏览/下载：51/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 席善学
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/07/15
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| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者: 席善学; 陆妩 ; 郑齐文; 崔江维; 魏莹
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/06/21
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| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹
收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2020/03/19
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者: 唐兆云; 闫江; 唐波; 贾宬; 王大海
收藏 | 浏览/下载：51/0 | 提交时间：2019/03/22 |
| 一种FINFET结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410573220.3, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2016-05-18
作者: 刘云飞; 尹海洲
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/03/22 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310143802.3, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-10-29
作者: 朱慧珑; 贾宬; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/03/14 |
| 浅沟槽隔离制造方法 专利
专利号: CN201210297229.7, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-03-12
作者: 王桂磊; 杨涛; 闫江; 唐兆云
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/03/19 |
| 一种FinFET及其制造方法 专利
专利号: CN201310479356.3, 申请日期: 2018-01-12, 公开日期: 2015-04-29
作者: 尹海洲; 刘云飞
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/03/14 |
