半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	唐兆云; 闫江; 唐波; 贾宬; 王大海; 李俊峰; 许静; 王红丽; 徐烨峰; 高建峰
	2018-09-18
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310184801.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供SOI衬底，包括基底、埋氧层和顶层；在顶层中刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成衬垫层和填充层；刻蚀填充层、衬垫层以及顶层，形成暴露埋氧层的开口，开口内的顶层构成有源区，栅极沟槽底部的顶层构成沟道区；在开口中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，在SOI顶层中刻蚀形成栅极沟槽并限定了下方的沟道区，填充栅极沟槽之后限定有源区和浅沟槽隔离，由此形成了超薄SOI半导体器件，实现了器件的小型化，提高了器件性能。
公开日期	2014-11-26
申请日期	2013-05-17
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18841]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	唐兆云,闫江,唐波,等. 半导体器件制造方法. CN201310184801.3. 2018-09-18.