半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	朱慧珑; 贾宬; 殷华湘
	2018-03-30
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310143802.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种在衬底上通过侧墙转移图形技术形成环状或其它相通的连接结构以及沟槽；在环状或其它相通的连接结构之间形成浅沟槽隔离；在衬底上形成假栅极线条，覆盖了环状或其它相通的连接结构的多个相互独立的鳍片沟道区，由此分隔相连鳍片结构对不同器件的影响。依照本发明的半导体器件制造方法，利用侧墙转移图形形成超细硅鳍片，同时在平面上形成沟道环，环尾或其它部位之上形成假栅，由此自动分割形成不同沟道，简化了工艺、提高了器件制造精度。
公开日期	2014-10-29
申请日期	2013-04-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18769]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,贾宬,殷华湘. 半导体器件制造方法. CN201310143802.3. 2018-03-30.