一种FinFET及其制造方法

	一种FinFET及其制造方法
	尹海洲; 刘云飞
	2018-01-12
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310479356.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种FinFET制造方法，包括：a.提供衬底、鳍片、沟道保护层、源漏区、浅沟槽隔离结构、层间介质层、伪栅叠层和侧墙，所述沟道保护层位于鳍片顶部；b.去除所述伪栅叠层，形成伪栅空位，露出位于鳍片中部的沟道以及沟道保护层；c.在述半导体结构鳍片的一侧覆盖光刻胶；d.去除未被光刻胶覆盖一侧的侧墙；g.去除光刻胶，并在所述伪栅空位中填充栅极叠层；h.对所述半导体进行平坦化，暴露出沟道保护层，形成第一分立栅叠层和第二分立栅叠层。相比于现有技术，本发明可有效地提高独立栅电位FinFET两个栅极的控制能力，更利于提高器件各方面的性能。
公开日期	2015-04-29
申请日期	2013-10-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18741]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	尹海洲,刘云飞. 一种FinFET及其制造方法. CN201310479356.3. 2018-01-12.