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| 一种高精度CMOS温度传感器的设计 期刊论文 2019, 卷号: 36, 页码: 34-38,44 作者: 陈贵宝; 郭仲杰; 李婷; 魏海龙 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/20
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| 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 专利 专利号: CN201721854675.8, 申请日期: 2018-10-19, 作者: 刘海南; 卜建辉; 陆江; 蔡小五; 罗家俊 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/03/01 |
| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛 收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2019/03/07 |
| 一款工作于2.4GHz频段的带有源负载的高性能双平衡有源混频器 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2012 姜梅; 张兴; 王新安; 刘珊; 徐锋; 汪波; 宗洪强; 沈劲鹏 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2015/11/16
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| 基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器 期刊论文 微计算机应用, 2010, 卷号: 31, 期号: 4 张建恩; 华斯亮; 王东辉 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2011/11/25 |
| 基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器 期刊论文 微计算机应用, 2010, 卷号: 31, 期号: 4 张建恩; 华斯亮; 王东辉 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2011/11/25 |
| LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法 期刊论文 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 10, 页码: 6,968-973 作者: 杜寰; 刘梦新; 陈蕾; 宋李梅 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2010/06/01
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| 热载流子应力下n-MOSFET线性漏电流的退化 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2006 赵要; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2015/10/23
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| 提高SOI器件和电路性能的研究 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 322-327 作者: 韩郑生; 海潮和; 周小茵; 赵立新; 李多力 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/05/26
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| 源区浅结S01MOSFET的辐照效应模拟 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 735-740 作者: 钱鹤; 赵洪辰; 海潮和; 韩郑生 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2010/05/26
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