基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器

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	基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器
	张建恩 ; 华斯亮 ; 王东辉
刊名	微计算机应用
	2010
卷号	31 期号:4
ISSN号	1003-1944
其他题名	A Bipolar Mixer for Low Frequency Receiver Using V-NPN Transistors in Deep N-well CMOS Technology
通讯作者	4
中文摘要	随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器.由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声.这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用.本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器.该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器.本文使用0.18μm CMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器.仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm.
收录类别	其他
资助信息	声学所
语种	中文
公开日期	2011-11-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.59.140:8080/handle/311008/1657]
专题	声学研究所_数字系统集成实验室_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张建恩,华斯亮,王东辉. 基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器[J]. 微计算机应用,2010,31(4).
APA	张建恩,华斯亮,&王东辉.(2010).基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器.微计算机应用,31(4).
MLA	张建恩,et al."基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器".微计算机应用 31.4(2010).