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| DBR结构芯片及其制备方法 专利 专利号: CN108598867A, 申请日期: 2018-09-28, 公开日期: 2018-09-28 作者: 贾钊; 杨宏杰; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201310185788.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26 作者: 唐兆云 ; 闫江![](/image/person.jpg)
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| 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 专利 专利号: CN201210543954.8, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2014-06-18 作者: 朱阳军 ; 吴振兴; 田晓丽 ; 卢烁今 ; 胡爱斌
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| 面向化学气相沉积生长单晶金刚石的高导热嵌入型基片托盘设计及其高质量生长工艺研究 期刊论文 集成技术, 2017 作者: 谷继腾; 杨扬; 蒋春磊; 石磊; 牛卉卉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2018/02/02 |
| 一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法 专利 专利号: CN105429000A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23 作者: 罗飚; 汤宝; 王任凡; 刘应军
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| 一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究 期刊论文 2016, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 740-745 作者: 马奎; 杨发顺
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| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利 专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27 作者: 史晶晶; 白云 ; 刘可安; 申华军 ; 汤益丹![](/image/person.jpg)
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| SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利 专利号: CN201110380662.2, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-05-02 作者: 汤益丹 ; 白云 ; 李博 ; 刘新宇 ; 周静涛![](/image/person.jpg)
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| 结构可控单壁碳纳米管阵列的温度扰动CVD生长方法研究 其他 2014-01-01 赵秋辰; 胡悦; 张锦
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| 基于建筑物空间特征的北京市城市空间结构及其机制分析 期刊论文 地理研究, 2013, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 2055 作者: 张小虎; 张珣; 钟耳顺; 王少华; 张济
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