| DBR结构芯片及其制备方法 | |
| 贾钊; 杨宏杰; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩 | |
| 2018-09-28 | |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 专利号 | CN108598867A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | DBR结构芯片及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及VCSEL芯片领域，提供了一种DBR结构芯片及其制备方法。该DBR结构芯片包括GaAs衬底、依次从下至上生长于衬底的表面N‑DBR层和GaAs缓冲层，均生长于GaAs缓冲层的表面的MQW层和Al0.98Ga0.02As层，生长于MQW层和Al0.98Ga0.02As层的表面的GaAs防渗层，生长于GaAs防渗层的表面且与MQW层的图形对应的P‑DBR层以及制作于GaAs防渗层的表面的电极。其通过使用多次外延技术进行制作，有效的降低了芯片的体电阻，从而降低了芯片的电压及阈值电流，功率转换效率高。该制备方法简单，操作容易，获得的DBR结构芯片的体电阻降低，功率转换效率高。 |
| 公开日期 | 2018-09-28 |
| 申请日期 | 2018-06-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57021]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,杨宏杰,马祥柱,等. DBR结构芯片及其制备方法. CN108598867A. 2018-09-28. |
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