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	一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法
	罗飚; 汤宝; 王任凡; 刘应军
	2016-03-23
著作权人	武汉电信器件有限公司
专利号	CN105429000A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法
英文摘要	本发明适用于光电子技术领域，提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法，包括：将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上；利用电子束蒸发SiO2，并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后，控制托盘温度进行退火；在完成退火后，再次进行电子束蒸发SiO2，并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作，直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量，并针对SiO2层中可能存在的应力，提出了将原本待生长指定厚度的SiO2，分离成多次生长和退火的过程，从而将应力有效的减小。
公开日期	2016-03-23
申请日期	2015-11-25
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90773]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉电信器件有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	罗飚,汤宝,王任凡,等. 一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法. CN105429000A. 2016-03-23.

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