一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法 | |
罗飚; 汤宝; 王任凡; 刘应军 | |
2016-03-23 | |
著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
专利号 | CN105429000A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法 |
英文摘要 | 本发明适用于光电子技术领域,提供了一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法,包括:将完成脊波导结构制作的外延片置于具有温度可调节的托盘上;利用电子束蒸发SiO2,并在脊波导结构上生长SiO2达到预设时间后,控制托盘温度进行退火;在完成退火后,再次进行电子束蒸发SiO2,并依据预设时间周期性的完成电子束蒸发SiO2在脊波导结构上生长SiO2和控制托盘温度进行退火的操作,直到生成指定厚度SiO2薄膜后停止电子束蒸发SiO2。本发明实施例利用了电子束蒸发SiO2的方式改进了生长得到的SiO2层表面质量,并针对SiO2层中可能存在的应力,提出了将原本待生长指定厚度的SiO2,分离成多次生长和退火的过程,从而将应力有效的减小。 |
公开日期 | 2016-03-23 |
申请日期 | 2015-11-25 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90773] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗飚,汤宝,王任凡,等. 一种高速直台脊波导激光器芯片加工方法. CN105429000A. 2016-03-23. |
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