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| 原子层沉积微通道板的研究进展 期刊论文 材料导报, 2020, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 03080-03089 作者: 郭俊江; 朱香平; 许彦涛; 曹伟伟; 邹永星
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| 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 专利 专利号: CN201610424181.X, 申请日期: 2018-10-16, 公开日期: 2016-10-12 作者: 丁玉强; 杜立永; 张羽翔; 赵超 ; 项金娟![](/image/person.jpg)
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| HfO2封装对以ALD HfO2为后栅介电材料的低密度MoS2晶体管的电性能的影响 科技动态 2018 作者: yaoxn@llas.ac.cn
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| ALD技术修饰碳纳米管的聚合物基多功能复合材料的研究 学位论文 2018 作者: 左养建
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| 通过磁控溅射金属钛生长金红石型二氧化钛纳米片阵列应用于钙钛矿太阳能电池 期刊论文 http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract10364.shtml, 2017 张囡; 叶美丹; 温晓茹; 林昌健; Nang Zhang; Meidan Ye; Xiaoru Wen; Changjian Lin
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| 硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征 期刊论文 红外, 2017, 期号: 2, 页码: 1-6 作者: 孙常鸿; 张鹏; 张天宁; 陈鑫; 叶振华
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| TiOx/Al2O3叠层结构薄膜的原子层沉积(ALD) 制备及阻变性能研究 学位论文 2017 作者: 刘伟霞
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| 锂电池中高比表面积的导电剂分散和ALD包覆性能优化 期刊论文 真空科学与技术学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 5, 页码: 519-526 作者: 李磊削[1]; 刘彦峰[2]; 王韫宇[3]; 李昌烽[4]
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| 远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2薄膜及HfO2/Ge界面性质研究 学位论文 2016, 2016 池晓伟
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2017/06/20
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| 原子层沉积HfO2薄膜及其1D1R器件阻变特性研究 学位论文 2016, 2016 陆超
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2017/06/20
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