一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 | |
丁玉强1; 杜立永1; 张羽翔1; 赵超2; 项金娟2 | |
2018-10-16 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 ; 江南大学 |
专利号 | CN201610424181.X |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法,包括以下步骤:A)将衬底置于反应腔中,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积,得到沉积有Ni源的衬底,所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物;B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔,对沉积在衬底上的Ni源进行还原,得到沉积有Ni薄膜的衬底。本发明采用了具有式I结构的Ni源,将其应用在单原子层沉积技术(ALD)中,使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含Ni沉积层。并且,采用本发明中的方法制得的Ni膜电阻率更低,实验结果表明,本发明制得的Ni薄膜电阻率在13~24μΩ·cm。 |
公开日期 | 2016-10-12 |
申请日期 | 2016-06-15 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18878] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 1.江南大学 2.中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁玉强,杜立永,张羽翔,等. 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法. CN201610424181.X. 2018-10-16. |
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