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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An average-bond-energy method used for band-offset calculation for a strained heterojunction 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/12/35/311, 2000 Li, S. P.; Wang, R. Z.; Zheng, Y. M.; Cai, S. H.; He, G. M.; 何国敏; 李书平; 蔡淑惠 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/12/12 SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS  SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  ELECTRONIC-STRUCTURE  PSEUDOPOTENTIALS  SUPERLATTICES  LINEUPS  STATES  MODEL   Theoretical study of valence-band offsets of strained Si1-x-yGexCy/Si(001) heterostructures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.371389, 1999 Zhu,ZZ; Li,SP; Zhuang,BH; Wu,LQ; Huang,MC; 李书平 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 AVERAGE-BOND-ENERGY  SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  PSEUDOMORPHIC SI1-YCY  ELECTRONIC-PROPERTIES  SI  INTERFACES  SYSTEM  SIGEC  SUPERLATTICES   Theoretical study of valence-band offsets of strained Si1-x-yGexCy/Si(001) heterostructures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.371389, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; Zhuang, B. H.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2013/12/12 AVERAGE-BOND-ENERGY  SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  PSEUDOMORPHIC SI1-YCY  ELECTRONIC-PROPERTIES  SI  INTERFACES  SYSTEM  SIGEC  SUPERLATTICES   Theoretical study of valence-band offsets of strained Si1-x-yGexCy/Si(001) heterostructures 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.371389, 1999 Wu, L. Q.; Huang, M. C.; Li, S. P.; Zhu, Z. Z.; Zhuang, B. H.; 朱梓忠 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 AVERAGE-BOND-ENERGY  SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  PSEUDOMORPHIC SI1-YCY  ELECTRONIC-PROPERTIES  SI  INTERFACES  SYSTEM  SIGEC  SUPERLATTICES   Average-bond-energy model for valence-band offsets: Its physical basis, and applications to twenty eight heterojunctions 期刊论文 1997 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS  ELECTRONIC-STRUCTURE  SPECIAL POINTS  SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  COMMON-ANION  INTERFACES  DIPOLES  FIELDS   Average bond energy model for determining valence-band offsets at strained heterointerfaces Si,Ge,InP,GaAs/GexSi1-x 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.362896, 1996 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 COMMON-ANION-RULE  ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  ALLOYS  INTERFACES  LINEUPS  HETEROSTRUCTURES  DISCONTINUITIES  SUPERLATTICES   VALENCE-BAND OFFSETS AND BAND TAILORING IN COMPOUND STRAINED-LAYER SUPERLATTICES 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.49.10495, 1994 Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/12/12 SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS  DEFORMATION POTENTIALS  ELECTRONIC-STRUCTURE  SPECTROSCOPY  INTERFACES  LINEUPS  INP