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Fabrication of Sub-Micrometer-Sized MoS2 Thin-Film Transistor by Phase Mode AFM Lithography 期刊论文
Small, 2018, 卷号: 14, 期号: 49, 页码: 1-6
作者:  Yu P(于鹏);  Li GY(李广勇);  Li M(李萌);  Shi JL(施佳林);  Liu LQ(刘连庆)
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/10/08
Improvement of electrical characteristics and stability of IGZO TFT through surface single crystallization of IGZO film at room temperature 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33
作者:  Zhang, He;  Wang, Yaogong;  Zhang, Xiaoning;  Liu, Chunliang
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26
高稳定性氧化物与碳纳米管场效应晶体管的研究及其在反相器中的应用 学位论文
: 上海大学, 2018
作者:  黄传鑫[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22
Highly Sensitive Flexible Pressure Sensor by the Integration of Microstructured PDMS Film With a-IGZO TFTs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 页码: 1073-1076
作者:  Xin, Chen[1];  Chen, Longlong[2];  Li, Tongkuai[3];  Zhang, Zhihan[4];  Zhao, Tingting[5]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22
Oxide-Based Complementary Inverters With High Gain and Nanowatt Power Consumption 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1676-1679
作者:  Yuan, Yuzhuo;  Yang, Jin;  Hu, Zhenjia
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11
All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1876-1879
作者:  Yang, Jin;  Yuan, Yuzhuo;  Li, Yunpeng;  Du, Lulu;  Wang, Yiming
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11
Impact of active layer thickness of nitrogen-doped In-Sn-Zn-O films on materials and thin film transistor performances 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51, 期号: 17
作者:  Li, Zhi-Yue;  Yang, Hao-Zhi;  Chen, Sheng-Chi;  Lu, Ying-Bo;  Xin, Yan-Qing
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/11
Amorphous-InGaZnO Thin-Film Transistors Operating Beyond 1 GHz Achieved by Optimizing the Channel and Gate Dimensions 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 4, 页码: 1377-1382
作者:  Wang, Yiming;  Yang, Jin;  Wang, Hanbin;  Zhang, Jiawei;  Li, He
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11
Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 208-211
作者:  Li, Yunpeng;  Yang, Jin;  Wang, Yiming;  Ma, Pengfei;  Yuan, Yvzhuo
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11
Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 516-519
作者:  Yang, Jin;  Wang, Yiming;  Li, Yunpeng;  Yuan, Yuzhuo;  Hu, Zhenjia
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/11

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