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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：山东师范大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氨化Ga2O3／Mg薄膜制备簇状GaN纳米线 期刊论文 2008, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 190-192 作者:  孙莉莉[1];  薛成山[1];  艾玉杰[1];  庄惠照[1];  王福学[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/04 氮化镓  磁控溅射  纳米线   采用氨化技术制备成簇生长的光滑线状氮化镓 期刊论文 2007, 卷号: 2, 期号: 2, 页码: 34-35 作者:  孙莉莉[1];  薛成山[1];  孙传伟[1];  艾玉杰[1];  庄惠照[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04 GaN  磁控溅射  线状   氮化铟粉末的热稳定性 期刊论文 2007, 卷号: 36, 期号: A03, 页码: 53-55 作者:  王福学[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  艾玉杰[1];  孙丽丽[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/04 热稳定性  InN  In2O3   溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用 期刊论文 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 193-194 作者:  艾玉杰[1];  薛成山[1];  孙莉莉[1];  孙传伟[2];  庄惠照[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/07 GaN  磁控溅射  纳米棒   氨化Si基Ga2O3／Ti制备GaN纳米线 期刊论文 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 259-260 作者:  孙莉莉[1];  薛成山[1];  艾玉杰[1];  孙传伟[2];  庄惠照[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/28 磁控溅射  氨化  GaN薄膜  Ti   氨化Si基Ga2O3／In制备GaN薄膜 期刊论文 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 231-233 作者:  王福学[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  张晓凯[1];  艾玉杰[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/28 GaN  Ga2O3/In  氨化  磁控溅射   退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响 期刊论文 2007, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 472-475 作者:  吴玉新[1,2];  薛成山[1];  庄惠照[1];  田德恒[1];  刘亦安[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28 氮化镓薄膜  电泳沉积  退火温度  光致发光   氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜 期刊论文 2007, 卷号: 38, 期号: 10, 页码: 1632-1634 作者:  薛成山[1];  王福学[1];  庄惠照[1];  张晓凯[1];  艾玉杰[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/28 GaN  Ga2O3/In2O3  氨化  磁控溅射   氨化Ga2O3／TiO2／Si薄膜制备GaN纳米线 期刊论文 2006, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 279-281 作者:  孙莉莉[1];  薛成山[1];  孙传伟[2];  艾玉杰[1];  庄惠照[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 磁控溅射  GaN  TiO2  纳米线   高温氨化合成GaN微晶 期刊论文 2006, 期号: 2, 页码: 37-40 作者:  刘亦安[1];  薛成山[1];  庄惠照[1];  何建廷[1];  吴玉新[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/07 氨化  Ga源温度  合成  GaN晶粒