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	氨化Si基Ga2O3／In制备GaN薄膜
	王福学[1]; 薛成山[1]; 庄惠照[1]; 张晓凯[1]; 艾玉杰[1]; 孙丽丽[1]; 杨兆柱[1]; 李红[1]
	2007
卷号	38期号:2页码:231-233
关键词	GaN Ga2O3/In 氨化 磁控溅射
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5798569
专题	山东师范大学
作者单位	[1]山东师范大学半导体所,山东济南250014
推荐引用方式 GB/T 7714	王福学[1],薛成山[1],庄惠照[1],等. 氨化Si基Ga2O3／In制备GaN薄膜[J],2007,38(2):231-233.
APA	王福学[1].,薛成山[1].,庄惠照[1].,张晓凯[1].,艾玉杰[1].,...&李红[1].(2007).氨化Si基Ga2O3／In制备GaN薄膜.,38(2),231-233.
MLA	王福学[1],et al."氨化Si基Ga2O3／In制备GaN薄膜".38.2(2007):231-233.

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