溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用 | |
艾玉杰[1]; 薛成山[1]; 孙莉莉[1]; 孙传伟[2]; 庄惠照[1]; 王福学[1]; 杨昭柱[1]; 秦丽霞[1] | |
2007 | |
卷号 | 38期号:2页码:193-194 |
关键词 | GaN 磁控溅射 纳米棒 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6595962 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | 1.[1]山东师范大学半导体研究所,山东济南250014 2.[2]济南大学信息科学与工程学院,山东济南250022 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾玉杰[1],薛成山[1],孙莉莉[1],等. 溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用[J],2007,38(2):193-194. |
APA | 艾玉杰[1].,薛成山[1].,孙莉莉[1].,孙传伟[2].,庄惠照[1].,...&秦丽霞[1].(2007).溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用.,38(2),193-194. |
MLA | 艾玉杰[1],et al."溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用".38.2(2007):193-194. |
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