氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线 | |
孙莉莉[1]; 薛成山[1]; 艾玉杰[1]; 庄惠照[1]; 王福学[1] | |
2008 | |
卷号 | 28期号:2页码:190-192 |
关键词 | 氮化镓 磁控溅射 纳米线 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6411677 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]山东师范大学半导体研究所,济南250014 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙莉莉[1],薛成山[1],艾玉杰[1],等. 氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线[J],2008,28(2):190-192. |
APA | 孙莉莉[1],薛成山[1],艾玉杰[1],庄惠照[1],&王福学[1].(2008).氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线.,28(2),190-192. |
MLA | 孙莉莉[1],et al."氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线".28.2(2008):190-192. |
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