CORC  > 山东师范大学
氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线
孙莉莉[1]; 薛成山[1]; 艾玉杰[1]; 庄惠照[1]; 王福学[1]
2008
卷号28期号:2页码:190-192
关键词氮化镓 磁控溅射 纳米线
URL标识查看原文
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6411677
专题山东师范大学
作者单位[1]山东师范大学半导体研究所,济南250014
推荐引用方式
GB/T 7714
孙莉莉[1],薛成山[1],艾玉杰[1],等. 氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线[J],2008,28(2):190-192.
APA 孙莉莉[1],薛成山[1],艾玉杰[1],庄惠照[1],&王福学[1].(2008).氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线.,28(2),190-192.
MLA 孙莉莉[1],et al."氨化Ga2O3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线".28.2(2008):190-192.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace