×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
华南理工大学 [22]
内容类型
期刊论文 [18]
会议论文 [2]
专利 [1]
会议 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [7]
2015 [5]
2014 [4]
2012 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共22条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:华南理工大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Growth of high-quality AlGaN epitaxial films on Si substrates (EI收录)
期刊论文
Materials Letters, 2017, 卷号: 207, 页码: 133-136
作者:
Li, Yuan[1,2]
;
Wang, Wenliang[1,2,3]
;
Lin, Yunhao[1,2]
;
Li, Xiaochan[1,2]
;
Huang, Liegen[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:117/0
  |  
提交时间:2019/04/24
Aluminum alloys
Epitaxial films
Gallium alloys
Growth temperature
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Organic chemicals
Surface roughness
Ultraviolet lasers
H2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
期刊论文
《材料研究与应用》, 2016, 卷号: 10, 页码: 10-15
作者:
杨美娟[1]
;
林云昊[1]
;
王文樑[1]
;
林志霆[1]
;
李国强[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/04/24
SI衬底
ALN薄膜
H2
MOCVD
气压对PLD法在AlN/Si上外延生长的GaN性能的影响
期刊论文
《材料研究与应用》, 2016, 卷号: 10, 页码: 16-21
作者:
朱运农[1]
;
王文樑[1]
;
杨为家[1]
;
王海燕[1]
;
李国强[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/04/24
气压
脉冲激光沉积
GAN
GaN-based light-emitting diodes on various substrates: a critical review
期刊论文
REPORTS ON PROGRESS IN PHYSICS, 2016, 卷号: 79
作者:
Li, Guoqiang[1,2,3]
;
Wang, Wenliang[1,2]
;
Yang, Weijia[1,2]
;
Lin, Yunhao[1,2]
;
Wang, Haiyan[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/04/24
GaN
light-emitting diodes
substrates
crystalline defects
nonpolar
Epitaxial growth of nonpolar GaN films on r-plane sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2016, 卷号: 43, 页码: 82-89
作者:
Yang, Weijia[1]
;
Wang, Wenliang[1]
;
Wang, Haiyan[1]
;
Zhu, Yunnong[1]
;
Li, Guoqiang[1,2,3]
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/04/24
Crystalline materials
Curve fitting
Deposition
Epitaxial films
Gallium nitride
Growth temperature
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Sapphire
Surface roughness
Influence of in content in InGaN barriers on crystalline quality and carrier transport of GaN-based light-emitting diodes (EI收录)
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 卷号: 49
作者:
Lin, Zhiting[1,2]
;
Wang, Haiyan[1,2]
;
Lin, Yunhao[1,2]
;
Yang, Meijuan[1,2]
;
Wang, Wenliang[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/04/24
Carrier concentration
Crystalline materials
Diodes
Efficiency
Gallium alloys
Gallium nitride
Quantum efficiency
Semiconducting indium compounds
Semiconductor quantum wells
A comparative study on the properties of c-plane and a-plane GaN epitaxial films grown on sapphire substrates by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Vacuum, 2016, 卷号: 128, 页码: 158-165
作者:
Wang, Wenliang[1,2]
;
Yang, Weijia[1,2]
;
Wang, Haiyan[1,2]
;
Zhu, Yunnong[1,2]
;
Yang, Meijuan[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/04/24
Crystalline materials
Deposition
Epitaxial films
Full width at half maximum
Gallium alloys
Gallium nitride
Interfaces (materials)
Optical properties
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Residual stresses
Sapphire
Surface roughness
Effect of residual stress on the microstructure of GaN epitaxial films grown by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Applied Surface Science, 2016, 卷号: 369, 页码: 414-421
作者:
Wang, Haiyan[1,2]
;
Wang, Wenliang[1,2]
;
Yang, Weijia[1,2]
;
Zhu, Yunnong[1,2]
;
Lin, Zhiting[1,2]
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/04/24
Atomic force microscopy
Crystalline materials
Deposition
Epitaxial films
Gallium nitride
Microstructure
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Surface roughness
Performance improvement of GaN-based light-emitting diodes grown on Si(111) substrates by controlling the reactor pressure for the GaN nucleation layer growth (EI收录)
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2015, 卷号: 3, 页码: 1484-1490
作者:
Lin, Yunhao[1]
;
Zhou, Shizhong[1]
;
Wang, Wenliang[1]
;
Yang, Weijia[1]
;
Qian, Huirong[1]
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/04/25
Gallium nitride
Light emitting diodes
Metallorganic chemical vapor deposition
Nucleation
Organic chemicals
Organometallics
Silicon
Substrates
Transmission electron microscopy
X ray diffraction
Growth evolution of AlN films on silicon (111) substrates by pulsed laser deposition (EI收录)
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2015, 卷号: 117
作者:
Wang, Haiyan[1]
;
Wang, Wenliang[1]
;
Yang, Weijia[1]
;
Zhou, Shizhong[1]
;
Lin, Zhiting[1]
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/04/25
Aluminum nitride
Deposition
Film growth
Morphology
Pulsed laser deposition
Pulsed lasers
Silicon
Substrates
Surface morphology
Surface roughness
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace