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	气压对PLD法在AlN／Si上外延生长的GaN性能的影响
	朱运农[1]; 王文樑[1]; 杨为家[1]; 王海燕[1]; 李国强[1,2]
刊名	《材料研究与应用》
	2016
卷号	10页码:16-21
关键词	气压 脉冲激光沉积 GAN
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2195889
专题	华南理工大学
作者单位	1.[1]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,广东广州510640 2.[2]华南理工大学广东省半导体照明与信息化工程技术研究中心,广东广州510640
推荐引用方式 GB/T 7714	朱运农[1],王文樑[1],杨为家[1],等. 气压对PLD法在AlN／Si上外延生长的GaN性能的影响[J]. 《材料研究与应用》,2016,10:16-21.
APA	朱运农[1],王文樑[1],杨为家[1],王海燕[1],&李国强[1,2].(2016).气压对PLD法在AlN／Si上外延生长的GaN性能的影响.《材料研究与应用》,10,16-21.
MLA	朱运农[1],et al."气压对PLD法在AlN／Si上外延生长的GaN性能的影响".《材料研究与应用》 10(2016):16-21.

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