×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东大学 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2018 [4]
2016 [1]
2015 [2]
2006 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
专题:山东大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Complementary Integrated Circuits Based on n-Type and p-Type Oxide Semiconductors for Applications Beyond Flat-Panel Displays
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 2, 页码: 950-956
作者:
Li, Yunpeng
;
Zhang, Jiawei
;
Yang, Jin
;
Yuan, Yvzhuo
;
Hu, Zhenjia
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/12/11
CMOS
IC
oxide semiconductor
thin-film transistor (TFT)
Oxide-Based Complementary Inverters With High Gain and Nanowatt Power Consumption
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1676-1679
作者:
Yuan, Yuzhuo
;
Yang, Jin
;
Hu, Zhenjia
;
Li, Yunpeng
;
Du, Lulu
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
indium gallium zinc oxide (InGaZnO or IGZO)
tin
monoxide (SnO)
low-power
high gain
ring oscillator (RO)
thin-film
transistor (TFT)
All-Oxide-Semiconductor-Based Thin-Film Complementary Static Random Access Memory
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1876-1879
作者:
Yang, Jin
;
Yuan, Yuzhuo
;
Li, Yunpeng
;
Du, Lulu
;
Wang, Yiming
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Static random access memory (SRAM)
complementary inverter
indium
gallium zinc oxide (InGaZnO or IGZO)
tin monoxide (SnO)
thin-film
transistor (TFT)
Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 208-211
作者:
Li, Yunpeng
;
Yang, Jin
;
Wang, Yiming
;
Ma, Pengfei
;
Yuan, Yvzhuo
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
logic gates
ring oscillator
tin monoxide
(SnO)
indium-gallium-zinc-oxide (IGZO)
thin-film transistor (TFT)
Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 516-519
作者:
Yang, Jin
;
Wang, Yiming
;
Li, Yunpeng
;
Yuan, Yuzhuo
;
Hu, Zhenjia
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/11
Complementary inverter
indium gallium zinc oxide (IGZO)
tin monoxide
(SnO)
thin-film transistor (TFT)
uniformity
static voltage gain
noise margin
Room Temperature Processed Ultrahigh-Frequency Indium-Gallium-Zinc-Oxide Schottky Diode
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 4, 页码: 389-392
作者:
Zhang, Jiawei
;
Wang, Hanbin
;
Wilson, Joshua
;
Ma, Xiaochen
;
Jin, Jidong
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/16
Thin film devices
IGZO
Schottky barriers
Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2015, 卷号: 107, 期号: 9
作者:
Zhang, Jiawei
;
Zhang, Linqing
;
Ma, Xiaochen
;
Wilson, Joshua
;
Jin, Jidong
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/17
Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2015, 期号: 9, 页码: 093505-1-093505-5
作者:
Zhang, Jiawei
;
Zhang, Linqing
;
Ma, Xiaochen
;
Wilson, Joshua
;
Jin, Jidong
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/17
3D reconstruction by perspective shape from shading using linearized triangular element surface model
会议论文
2006 IEEE International Conference on Mechatronics and Automation, ICMA 2006, June 25, 2006 - June 28, 2006
作者:
Li, Jin
;
Aimin, Ren
;
Zhang, Jingnan
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/31
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace