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| 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524692.0, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2014-06-11
作者: 胡爱斌; 朱阳军 ; 田晓丽; 张文亮
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| 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210526482.5, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-18
作者: 胡爱斌; 田晓丽; 朱阳军; 张文亮
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| 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 专利
专利号: CN201210543954.8, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2014-06-18
作者: 朱阳军; 吴振兴; 田晓丽; 卢烁今; 胡爱斌
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| 绝缘栅型双极晶体管 专利
申请日期: 2013-03-18,
作者: 张文亮; 胡爱斌; 朱阳军; 田晓丽
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| 一种适用于dummy-trench功率器件的版图 专利
申请日期: 2012-12-18,
作者: 胡爱斌; 褚为利; 朱阳军; 田晓丽; 喻巧群
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| 一种TI-IGBT及其形成方法 专利
申请日期: 2012-12-06,
作者: 胡爱斌; 田晓丽; 卢烁今; 张文亮; 朱阳军
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| 一种IGBT版图 专利
申请日期: 2012-11-30,
作者: 田晓丽; 赵佳; 胡爱斌; 朱阳军; 左小珍
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| 一种逆导型IGBT器件及其形成方法 专利
申请日期: 2012-01-01,
作者: 张文亮; 朱阳军; 田晓丽; 胡爱斌; 卢烁今
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| 一种逆导型IGBT器件 专利
申请日期: 2012-01-01,
作者: 朱阳军; 田晓丽; 胡爱斌; 张文亮; 卢烁今
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