| 一种逆导型IGBT器件 | |
| 朱阳军; 田晓丽; 胡爱斌; 张文亮; 卢烁今 | |
| 2012 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的缓冲层；形成于所述缓冲层内的绝缘结构；形成于所述缓冲层表面的集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；其中，所述集电区和短路区的掺杂类型不同，且分别位于所述绝缘结构两侧，从而使得所述绝缘结构将所述集电区与所述短路区的电势在一定程度上进行隔离，进而使得所述逆导型RC‑IGBT器件以更小的电流进入传统IGBT模式，解决了现有技术中RC‑IGBT器件工作时的电流回跳现象。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17700]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱阳军,田晓丽,胡爱斌,等. 一种逆导型IGBT器件. 2012-01-01. |
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