逆导型IGBT的背面结构及其制备方法

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	逆导型IGBT的背面结构及其制备方法
	胡爱斌; 田晓丽; 朱阳军; 张文亮
	2018-03-30
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 上海联星电子有限公司 ; 江苏中科君芯科技有限公司
专利号	CN201210526482.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种逆导型IGBT的背面结构，包括：漂移区、第一N+缓冲层、绝缘层、P+集电区、N+短路区及集电极金属层；所述P+集电区与所述N+短路区中间通过所述漂移区分隔开；所述N+短路区的耗尽部分通过所述绝缘层与所述集电极金属层连接，其他部分直接与所述集电极金属层连接。本发明提供的一种逆导型IGBT的背面结构及其制备方法，通过在P+集电区和N+短路区之间加入一段低掺杂的N-区域的漂移区，这样能使P+集电区更大程度的正偏，从而能避免回跳现象的产生，另外此结构还可以增加P+集电区有效导通面积，增加空穴的注入总量，降低了导通压降，从而降低功耗。
公开日期	2014-06-18
申请日期	2012-12-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18666]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡爱斌,田晓丽,朱阳军,等. 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法. CN201210526482.5. 2018-03-30.