| 一种逆导型IGBT器件及其形成方法 | |
| 张文亮; 朱阳军; 田晓丽; 胡爱斌; 卢烁今 | |
| 2012 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区，从而使得所述集电区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，且所述短路区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，进而降低所述集电极与其表面金属层的接触电阻，提高所述逆导型IGBT器件的性能。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17698]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张文亮,朱阳军,田晓丽,等. 一种逆导型IGBT器件及其形成方法. 2012-01-01. |
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