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| 一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利
专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25
作者: 龙世兵 ; 王国明; 张美芸; 李阳; 许定林
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| 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者: 王国明; 龙世兵; 张美芸; 李阳; 许晓欣
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| 一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路 专利
专利号: CN201310491719.5, 申请日期: 2017-02-01, 公开日期: 2014-01-22
作者: 龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 王明
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| 一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者: 吕杭炳; 刘琦; 刘明; 刘红涛; 龙世兵
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| 一种制备纳米器件的方法 专利
专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08
作者: 龙世兵; 张美芸; 王国明; 李阳; 王明
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2017/06/09 |
| INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE 会议论文
作者: Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Wang GM(王国明); Zhang MY(张美芸); Liu HT(刘红涛)
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2016/06/14 |
| A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者: Zhang MY(张美芸); Yu ZA(余兆安); Li Y(李阳); Xu DL(许定林); Lv HB(吕杭炳)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2016/05/24 |
| Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM 会议论文
作者: Liu Q(刘琦); Xu XX(许晓欣); Zhang MY(张美芸); Wang GM(王国明); Liu M(刘明)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2016/06/14 |
| Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM 会议论文
作者: Liu M(刘明); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Xu DL(许定林); Xu XX(许晓欣)
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2016/06/14 |
| Methodology for stability evaluation on the multi-level storages of oxide-based conductive bridge RAM (CBRAM) 会议论文
作者: Zhang MY(张美芸); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明); Liu HT(刘红涛); Xu XX(许晓欣)
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/06/14 |
