对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法

	对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法
	王国明; 龙世兵; 张美芸; 李阳; 许晓欣; 刘红涛; 吕杭炳; 刘琦; 刘明
	2017-10-17
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410377423.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效，在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln，即得到耐久性参数为10^Ln‑1次，其中Ln＝n‑1，n为自然数。利用本发明，极大加快了待测器件耐久性参数的获取。
公开日期	2014-11-05
申请日期	2014-08-01
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17946]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王国明,龙世兵,张美芸,等. 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法. CN201410377423.5. 2017-10-17.