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	Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM
	Liu M(刘明); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳); Xu DL(许定林); Xu XX(许晓欣); Wang Y(王艳); Wang GM(王国明); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵); Li Y(李阳)
	2015-06-29
语种	英语
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15262]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Liu M,Liu Q,Lv HB,et al. Improving the Resistive Switching Reliability via controlling the resistance states of RRAM[C]. 见:.

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