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| Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文
Chinese physics B, 2018
作者:
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410339866.5, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-02-03
作者: 唐波 ; 许静; 闫江; 王红丽; 唐兆云
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410339800.6, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2016-02-03
作者: 李春龙; 许静; 闫江; 陈邦明; 王红丽
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| Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文
CHIN. PHYS. LETT., 2018
作者: Bi JS(毕津顺); Xu YN(徐彦楠); Li B(李博); Xi K(习凯); Wang HB(王海滨)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/04/12 |
| Investigation of Retention Behavior of TiOx/Al2O3 Resistive Memory and Its Failure Mechanism Based on Meyer–Neldel Rule 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者: writam Banerjee; Lu ND(卢年端); Yang Y(杨阳); Li L(李泠); Lv HB(吕杭炳)
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| 一种有效提高阻变存储器耐久性的方法 专利
专利号: CN201410643264.9, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2015-03-25
作者: 龙世兵; 王国明; 张美芸; 李阳; 许定林
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| 微纳电子器件及集成研究群体 成果
2018
主要完成人: 谢常青; 许晓欣; 商立伟; 龙世兵; 刘明
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| 8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 会议论文
作者: Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Gong TC(龚天成); Lv HB(吕杭炳); Dong DN(董大年)
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| 对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法 专利
专利号: CN201410377423.5, 申请日期: 2017-10-17, 公开日期: 2014-11-05
作者: 王国明; 龙世兵; 张美芸; 李阳; 许晓欣
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2018/04/27 |
| Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator 期刊论文
SCIeNTIfIC REporTS, 2017
作者: Li Y(李昱); Zhang MY(张美芸); Long SB(龙世兵); Liu Q(刘琦); Lv HB(吕杭炳)
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