Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory

	Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory
	Bi JS(毕津顺); Xi K(习凯); Li B(李博); Wang HB(王海滨); Ji LL(季兰龙); Li J(李金); Liu M(刘明)
刊名	Chinese physics B
	2018-11-12
文献子类	期刊论文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18955]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Bi JS,Xi K,Li B,et al. Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory[J]. Chinese physics B,2018.
APA	Bi JS.,Xi K.,Li B.,Wang HB.,Ji LL.,...&Liu M.(2018).Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory.Chinese physics B.
MLA	Bi JS,et al."Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory".Chinese physics B (2018).