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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015 作者:  Zhao YY(赵玉印);  He XB(贺晓彬);  Gao JF(高建峰);  Xu Q(徐强);  Li JJ(李俊杰) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/31 磁存储器驱动电路界面平坦化研究 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 358-360 作者:  杜寰;  赵玉印;  韩郑生;  夏洋;  张志纯 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 磁存储器  平坦化  表面粗糙度  均方根值   一种用以改善硅衬底螺旋电感性能的局域介质增厚新技术 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 5，857-861 作者:  杨荣;  李俊峰;  赵玉印;  柴淑敏;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 硅  电感  结构  工艺  品质因数  自谐振频率   部分耗尽0．25μm SOI射频nMOSFET 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1061-1065 作者:  赵玉印;  李俊峰;  杨荣;  柴淑敏;  刘明 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 结构  工艺  仿真  实验  射频  Soi   高性能42nm栅长CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: B05, 页码: 8，153-160 作者:  陈宝钦;  蒋浩杰;  吴德馨;  赵玉印;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/25 42nm栅长  Cmos器件  超陡倒掺杂  灰化工艺  高选择比  高各向异性  Co／ti自对准硅化物