高性能42nm栅长CMOS器件

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	高性能42nm栅长CMOS器件
	陈宝钦; 蒋浩杰; 吴德馨; 赵玉印; 徐秋霞; 钱鹤; 韩郑生; 刘明; 侯瑞兵
刊名	半导体学报
	2003
卷号	24 期号:B05 页码:8，153-160
关键词	42nm栅长 Cmos器件超陡倒掺杂灰化工艺高选择比高各向异性 Co／ti自对准硅化物
ISSN号	0253-4177
英文摘要	研究了20～50nmCMOS器件结构及其关键工艺技术，采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器。在电源电压VDD为±1．5V下，NMOS和PMOS的饱和驱动电流，I∞分别为745μA／μm和-530μA／μm，相应的关态漏电流Ioff分别为3．5nA／μm和-15nA／μm。NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV／Dec和34mV／V，PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mY／Dec和j7mV／V。栅长为48nm的CMOS57级环形振荡器，在1．5V电源电压下每级延迟为19．9ps。
语种	中文
公开日期	2010-05-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/868]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈宝钦,蒋浩杰,吴德馨,等. 高性能42nm栅长CMOS器件[J]. 半导体学报,2003,24(B05):8，153-160.
APA	陈宝钦.,蒋浩杰.,吴德馨.,赵玉印.,徐秋霞.,...&侯瑞兵.(2003).高性能42nm栅长CMOS器件.半导体学报,24(B05),8，153-160.
MLA	陈宝钦,et al."高性能42nm栅长CMOS器件".半导体学报 24.B05(2003):8，153-160.